IC: пам'ять DRAM; 32ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,17В

Немає в наявності
Код товару: MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR
13574,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,1...1,17В
Пам'ять: 32Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Тактова частота: 2,133ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; DO41; 25мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; DO41; 25мкА; Ufmax: 1,2В

143,18 грн

Допуск:
±10%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Конденсатор: електролітичний; THT; 4700мкФ; 25ВDC; Ø16x31,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 4700мкФ; 25ВDC; Ø16x31,5мм

91,87 грн

Висота:
31,5мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А

937,03 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28/60нКл
Корпус:
MLP8
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 100Ом; SMD; 4А; 0805; R: 20мОм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 100Ом; SMD; 4А; 0805; R: 20мОм

5,07 грн

Імпеданс при 100МГц:
100Ом
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 6; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 6; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT

21,10 грн

Використання:
SIL
Властивості підставок:
втулкові контакти; закруглені виводи; можливість зламання для отримання необхідної кількості виводів
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; 1,6мм
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; 1,6мм

48,78 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
затискання
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD