IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C256M16D3C-12BIN
2526,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: AS4C256M16D3C-12BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Реактор: дротяний; SMD; 900нГн; R: 8,2мОм; ±30%; 8А; ферит; H: 2,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 900нГн; R: 8,2мОм; ±30%; 8А; ферит; H: 2,6мм

12,67 грн

Високосортність:
20
Висота:
2,6мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
0,9мкГн
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-113; steel; 5N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-113; steel; 5N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Кінцева планка; W; бежевий; вемид; L: 60,8мм; H: 85мм
Кінцева планка; W; бежевий; вемид; L: 60,8мм; H: 85мм

69,06 грн

Alias:
WAP WDK10
Висота:
85мм
Довжина:
60,8мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 24,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 24,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 430кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 430кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603; 330мм

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,63 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD