1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; лоток

IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; лоток
Немає в наявності
Код товару: AS4C256M16D3C-10BIN
2526,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: AS4C256M16D3C-10BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,91нс
Недоступний
Резистор: thin film; 301кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 301кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

9,82 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм

2,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 35,25В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 35,25В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1087,18 грн

Зворотна напруга макс.:
29,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
35,25В
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

2634,95 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 100кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 100кОм; однообертовий; горизонтальний

81,73 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Допуск:
±20%
Кут обертання механічний:
265°
Матеріал доріжки:
вугільний
Недоступний
Резистор: thin film; 287кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 287кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD