IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,91нс; TWBGA96

Немає в наявності
Код товару: IS43TR16256BL-107MBL
686,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 190
Крок додавання: 190
Код товару: IS43TR16256BL-107MBL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,35В DC
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 1,066ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,91нс
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

19,83 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: поліпропиленовий; 47нФ; 250ВDC; 160ВAC; THT; ±5%; 5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 47нФ; 250ВDC; 160ВAC; THT; ±5%; 5мм

25,34 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Допуск:
±5%
Ємність:
47нФ
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 196кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 196кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 80,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 176В; 12,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 176В; 12,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ

51,32 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
150В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD