Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SISA10BDN-T1-GE3
29,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISA10BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24,1нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Потужність розсіювання: 3,8Вт
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 176В; 12,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 176В; 12,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ

51,32 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
150В
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,24÷16В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,24÷16В

76,66 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,24...16В
Вихідний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,23 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Перфоратор; Ø: 3мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм
Перфоратор; Ø: 3мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм

252,79 грн

Діаметр наконечника:
3мм
Довжина інструмента:
150мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Тип інструмента:
перфоратор
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 380ВAC,400ВAC,420ВAC; 24В; IP00
Трансформатор: мережевий; 100ВА; 380ВAC,400ВAC,420ВAC; 24В; IP00

2707,81 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
84x93x90мм
Клас герметичності:
IP00
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 4,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,67 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD