IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx8битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II

Немає в наявності
Код товару: IS42S86400F-6TLI-TR
824,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: IS42S86400F-6TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx8битx4
Тактова частота: 167МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Резистор: thick film; 71,5Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 71,5Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 120мкФ; 400ВDC; Ø22x30мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 120мкФ; 400ВDC; Ø22x30мм

0,00 грн

Висота:
30мм
Діаметр:
22мм
Допуск:
±20%
Ємність:
120мкФ
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

14,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4

22,17 грн

Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMD4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

4,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206; 330мм

2,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Конденсатор: керамічний; 1,8пФ; 100ВDC; C0G (NP0); SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1,8пФ; 100ВDC; C0G (NP0); SMD; 0603

5,45 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD