IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс

Немає в наявності
Код товару: AS4C32M16D3-10BCN
732,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C32M16D3-10BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 32Mx16бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,91нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,39нФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

8,24 грн

Alias:
KGM15ACG2A271JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,1А; Idm: -14А; 3,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,1А; Idm: -14А; 3,1Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT223
Резистор: thin film; 2,15кОм; 0603; 100мВт; -55÷150°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 2,15кОм; 0603; 100мВт; -55÷150°C; 25ppm/°C

36,62 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модель:
ESD
Опір:
2,15кОм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

2243,41 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,8А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C

0,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,2кОм
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

808,41 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1163,84 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD