IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C32M16D2A-25BIN
966,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C32M16D2A-25BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA84
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 32Mx16бит
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Резистор: thin film; 1,13кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,13кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9,6÷14,4ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9,6÷14,4ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

204,64 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
9,6...14,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; Rмакс: 20мОм; Z: 250Ом; SMD; 100ВDC; 3А; 2020
Фільтр: проти перешкод; Rмакс: 20мОм; Z: 250Ом; SMD; 100ВDC; 3А; 2020

19,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс:
250Ом
Корпус - дюйм:
2020
Корпус - мм:
5050
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 3A; 250V

384,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD