IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60

Немає в наявності
Код товару: AS4C64M8D2-25BCNTR
593,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C64M8D2-25BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA60
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: 0...85°C
Структура пам'яті: 64Мx8бит
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
620пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 63В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 487кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
LED; 5мм; синій; 6000÷10000мкд; 10°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC
LED; 5мм; синій; 6000÷10000мкд; 10°; Голівка: опукла; 2,8÷3,6ВDC

8,36 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
464...470нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В

0,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD