IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II

Немає в наявності
Код товару: IS42S16320F-7TL
670,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 108
Крок додавання: 108
Код товару: IS42S16320F-7TL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7нс
Вимикач максимального струму; 240ВAC; 3÷16А; Полюси: 1; SNAP-IN
Вимикач максимального струму; 240ВAC; 3÷16А; Полюси: 1; SNAP-IN

148,89 грн

Відповідність стандарту:
UL 1077
Кількість полюсів:
1
Монтаж:
snap-in
Номінальна напруга:
240В AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2А; Idm: 12А; 42Вт; DPAK,TO252

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Недоступний
Резистор: thin film; 57,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 57,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 71,5кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 71,5кОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
71,5кОм
Інтерфейсний модуль safety; 3SU1.5; Ø22мм; гвинтові виводи
Інтерфейсний модуль safety; 3SU1.5; Ø22мм; гвинтові виводи

14306,28 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Застосування - серія/виробник:
3SU1.5
Напруга живлення:
24В DC
Розміри монтажного отвору:
Ø22мм
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В

0,39 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 25ВDC; Ø4x7мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 25ВDC; Ø4x7мм

17,74 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
4мм
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD