IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84

Немає в наявності
Код товару: IS43DR16320E-25DBLI
278,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: IS43DR16320E-25DBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA84
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Поролонова вставка; сірий; 305x285x30мм
Поролонова вставка; сірий; 305x285x30мм

0,00 грн

Колір:
сірий
Розміри:
305x285x30мм
Супутні товари:
KCBB4540B/S; KCX45408B/S; KCX454015B/S
Тип аксесуарів коробки:
поролонова вставка
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 5,6мкГн; 500мА; R: 0,47Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 5,6мкГн; 500мА; R: 0,47Ом; ±10%; LQH

7,48 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
5,6мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Резистор: thick film; 976Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 976Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 1,5м; Стандарт: Omron; Sigma-5; 400Вт
Кабель: для сервоприводів; 1,5м; Стандарт: Omron; Sigma-5; 400Вт

7845,30 грн

Вид кабелю:
brake; power
Довжина кабелю:
1,5м
Модель:
з гальмом
Потужність двигуна макс.:
0,4кВт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD