IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84

Немає в наявності
Код товару: IS46DR16320E-25DBLA2
316,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: IS46DR16320E-25DBLA2
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA84
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 85А; 625Вт; D3PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 85А; 625Вт; D3PAK

733,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
D3PAK
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷15ВDC; Uвих: 0÷14,5ВDC; 2А; DFN12
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷15ВDC; Uвих: 0÷14,5ВDC; 2А; DFN12

419,41 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0...14,5В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 1.5A

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
4,8мм
Недоступний
Діод: TVS; 190В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 190В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1278,51 грн

Зворотна напруга макс.:
152В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
190В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD