IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II

Немає в наявності
Код товару: IS45S16400J-7TLA2-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: IS45S16400J-7TLA2-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 64Мб DRAM
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 1Mx16битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7нс
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; MCS 18 Front; 0,125A/48ВDC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; MCS 18 Front; 0,125A/48ВDC

119,74 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
1000000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Кристал; 8МГц; 16пФ; ±30ppm; 12,7x4,8x3,8мм; -20÷70°C
Кристал; 8МГц; 16пФ; ±30ppm; 12,7x4,8x3,8мм; -20÷70°C

7,60 грн

Ємність:
16пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
12,7x4,8x3,8мм
Стабільність частоти:
±30ppm
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 4; 400ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 10А; Iдіф: 30мА; Полюси: 4; 400ВAC

11685,27 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
30мА
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 5А; DPAK,SC63; Ufmax: 1,18В; Ifsm: 76А
Діод: випрямний; SMD; 800В; 5А; DPAK,SC63; Ufmax: 1,18В; Ifsm: 76А

57,02 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DPAK; SC63
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,21 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 320ВAC; 420ВDC; 510В; 6кА; Ø: 14мм
Варистор: металооксидний; THT; 320ВAC; 420ВDC; 510В; 6кА; Ø: 14мм

53,85 грн

Висота:
14мм
Властивості варисторів:
з термічним захистом; контрольний вивід
Діаметр:
14мм
Енергія 2 мс:
136Дж
Недоступний
Резистор: thin film; 43Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 43Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD