IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78

Немає в наявності
Код товару: AS4C1G8D3LA-10BCNTR
3865,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C1G8D3LA-10BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 1Гx8бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,91нс
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 13,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА

667,77 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Пружинний контакт; A,AA,CR123A,CR2,R6; PCB,THM; для друку
Пружинний контакт; A,AA,CR123A,CR2,R6; PCB,THM; для друку

15,46 грн

Виводи:
для друку
Монтаж:
PCB; THM
Розмір осередку:
A; AA; CR2; CR123A; R6
Тип аксесуарів батарей:
пружинний контакт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

8,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Дисплей: LCD; буквено-цифровий; 4x20; білий; 75x45,8мм; LED; PIN: 24
Дисплей: LCD; буквено-цифровий; 4x20; білий; 75x45,8мм; LED; PIN: 24

2814,25 грн

Вид дисплея:
буквено-цифровий
Вид контролера:
RW1073
Висота знаку:
6,45мм
Інтерфейс:
4bit; 8bit BUS; SPI
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD