IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA78

Немає в наявності
Код товару: IS43TR81024B-125KBLI
1723,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 136
Крок додавання: 136
Код товару: IS43TR81024B-125KBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA78
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,5В DC
Пам'ять: 8Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 1Гx8бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; SMD6; PIN: 6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; SMD6; PIN: 6

0,00 грн

Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 191кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 191кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; 50Ом; паяння,THT
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; 50Ом; паяння,THT

293,34 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT; паяння
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

2,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Діод: випрямний Шотткі; SMB; SMD; 40В; 1,5А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMB; SMD; 40В; 1,5А; ролик,cтрічка

41,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перемикач: перемикач з ключем; Фікс.поз: 3; ON-ON-ON; DP3T; THT
Перемикач: перемикач з ключем; Фікс.поз: 3; ON-ON-ON; DP3T; THT

733,66 грн

Виводи:
для друку; кутові
Властивості перемикачів:
ключ виймається в центральному положенні
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість всіх позицій:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,46 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD