IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,95В

Немає в наявності
Код товару: MT53E256M32D1KS-046 AIT:L
1923,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1360
Крок додавання: 1360
Код товару: MT53E256M32D1KS-046 AIT:L
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,1...1,95В
Пам'ять: 8Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Тактова частота: 2,133ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 85А; 625Вт; D3PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 85А; 625Вт; D3PAK

733,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
D3PAK
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷15ВDC; Uвих: 0÷14,5ВDC; 2А; DFN12
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷15ВDC; Uвих: 0÷14,5ВDC; 2А; DFN12

419,41 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0...14,5В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 1.5A

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
4,8мм
Недоступний
Діод: TVS; 190В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 190В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1278,51 грн

Зворотна напруга макс.:
152В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
190В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD