IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,91нс; TWBGA96

Немає в наявності
Код товару: IS43TR16512BL-107MBLI
1658,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 136
Крок додавання: 136
Код товару: IS43TR16512BL-107MBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,35В DC
Пам'ять: 8Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 512Мx16бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,91нс
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 17А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 17А; Idm: 68А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3

988,98 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 2220

62,09 грн

Alias:
KGM55DR71E226KV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,17В
IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,17В

2331,48 грн

Вид пам’яті:
DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,1...1,17В
Пам'ять:
8Гб DRAM
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; SMT; 3A; 250V

481,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 10ВDC; Ø10x12,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 10ВDC; Ø10x12,5мм

15,21 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD