Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 17А; Idm: 68А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P17F28HP2-5600
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P17F28HP2-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 19,5нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 280В
Опір в стані провідності: 0,23Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 79Вт
Струм стока: 17А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3

988,98 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 2220

62,09 грн

Alias:
KGM55DR71E226KV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,17В
IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 2,133ГГц; -40÷95°C; 1,1÷1,17В

2331,48 грн

Вид пам’яті:
DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,1...1,17В
Пам'ять:
8Гб DRAM
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; SMT; 3A; 250V

481,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 10ВDC; Ø10x12,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 10ВDC; Ø10x12,5мм

15,21 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 600В; 82А; 1560Вт; 300нс

696,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
275нКл
Корпус:
PLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; 35Вт; TO220FP

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 46А; 520Вт; TO247AC

713,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
362нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO220-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 42Вт; TO251

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50,5нКл
Корпус:
TO220F