IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; SPI; 128x8бит; SOIC8; послідовний

Немає в наявності
Код товару: 25LC010AT-E/SN
29,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 25LC010AT-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: EEPROM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: SPI
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1кб EEPROM
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 128x8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять EEPROM
Тип інтерфейсу: послідовний
Час доступу: 100нс
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x32мм; осьовий; 24ВDC; 90,6м3/г; 44дБА
Вентилятор: DC; 80x80x32мм; осьовий; 24ВDC; 90,6м3/г; 44дБА

1400,79 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 2300Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 2300Вт

40877,52 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
293A
Вихідна напруга:
55В DC
Вихідний струм:
41,8А
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 4ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 4ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0603

2,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Обійма; під круглий провід; Вим: 152x141x143мм; trefoil; -40÷60°C
Обійма; під круглий провід; Вим: 152x141x143мм; trefoil; -40÷60°C

1203,12 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
під круглий провід
Відповідність стандарту:
IEC 61914-2021
Діаметр проводу:
55...62мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,23нКл
Корпус:
SOT563
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; 2-wire,I2C; 256x8бит; 1,7÷5,5В
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; 2-wire,I2C; 256x8бит; 1,7÷5,5В

13,24 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 128кбEEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,7÷5,5В; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 128кбEEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,7÷5,5В; SO8

30,41 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 1024x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 1024x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц

16,47 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SO8

8,24 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8

14,57 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 32кбEEPROM; SPI; 4Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 32кбEEPROM; SPI; 4Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; SO8

22,17 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 8МбEEPROM; SPI; 1,6÷3,6В; 80МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 8МбEEPROM; SPI; 1,6÷3,6В; 80МГц; SO8

42,45 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD