1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт
Немає в наявності
Код товару: DMN33D9LV-7
26,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN33D9LV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,23нКл
Корпус: SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; SPDT; Ch: 4; VQFN16; 1,65÷4,3ВDC
IC: аналоговий перемикач; SPDT; Ch: 4; VQFN16; 1,65÷4,3ВDC

52,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Кількість каналів:
4
Конфігурація виходу:
SPDT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷125°C
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷125°C

43,72 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид об'єднаної схеми:
буфер; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; ERJ6BQF

2,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 1206

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; ізольований,насадковий; 14мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; ізольований,насадковий; 14мм; 1/2"

939,56 грн

Вид ключа:
ізольований; насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; IEC 60900; VDE
Довжина насадки:
54мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6