IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; 3-wire; 256x8бит; 1,7÷5,5В; 2МГц

Немає в наявності
Код товару: AT93C56B-XHM-T
15,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: AT93C56B-XHM-T
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: EEPROM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: 3-wire
Кількість циклів макс.: 1м
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2кб EEPROM
Робоча напруга: 1,7...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 5000шт.
Структура пам'яті: 256x8бит
Тактова частота: 2МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять EEPROM
Тип інтерфейсу: послідовний
Час доступу: 5мс
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷20мм; 10÷30ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷20мм; 10÷30ВDC; M18; IP67

3274,21 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...20мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM3)
Загальна довжина:
75мм
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; MAS-CON; PIN: 36; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; male; data; MAS-CON; PIN: 36; 2.54mm

110,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
36
Конденсатор: керамічний; 0,0027мкФ; 100ВDC; BX
Конденсатор: керамічний; 0,0027мкФ; 100ВDC; BX

29,27 грн

Діелектрик:
BX
Ємність:
2,7нФ
Робоча напруга:
100В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт

1583,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 40кВт; 300В; 292А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 40кВт; 300В; 292А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

2497,47 грн

Зворотна напруга макс.:
275В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
300В
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; SPI; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; SPI; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц

41,81 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; SPI; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; SPI; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц

67,79 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; 3МГц
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; 3МГц

34,66 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; Microwire; 1024x8бит; 2,5÷5,5В
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; Microwire; 1024x8бит; 2,5÷5,5В

37,19 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; SO8

8,24 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 128кбEEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 128кбEEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; SO8

17,74 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SO8

10,77 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD