IC: пам'ять SRAM; 128МбSRAM; 16Mx8бит; 2,7÷3,6В; TFBGA24; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
287,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: PSRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA24
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Недоступний
Резистор: metal film; 46,4Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 46,4Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; E; 60В; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; E; 60В; прямий; IP67

693,11 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Зовнішній діаметр проводу:
4...5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 16В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 16В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 4А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 4А; Полюси: 1

181,20 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 1,87кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 1,87кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,5А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,5А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit