IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AS6C1008-55STIN
280,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS6C1008-55STIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: STSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
8,2нФ
Трансформатор: литий; 6ВА; 115ВACx2; 6В; 6В; 500мА; 500мА; PCB; BVUI
Трансформатор: литий; 6ВА; 115ВACx2; 6В; 6В; 500мА; 500мА; PCB; BVUI

736,19 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
6В
Вторинна напруга 2:
6В
Зовнішні розміри:
53,4x44,6x22,8мм
Недоступний
Циркулярна абразивна стрічка; W: 75мм; L: 533мм
Циркулярна абразивна стрічка; W: 75мм; L: 533мм

340,22 грн

Використання інструментів:
for belt sanders; дерево; для зняття фарби; для полірування металу; пластик
Довжина:
533мм
Тип аксесуарів для електричних інструментів:
циркулярна абразивна стрічка
Ширина:
75мм
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 8А; 8A/250ВAC; Card E
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 8А; 8A/250ВAC; Card E

1262,04 грн

Зовнішні розміри:
28x10,4x25,1мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgNi
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C

209,07 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Інтерфейс:
GPIO; I2C; IrDA; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
20
Корпус:
UFQFPN32
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; 750мА; Iмакс: 5А; THT; 0ZRM
Запобіжник: полімерний PTC; 750мА; Iмакс: 5А; THT; 0ZRM

Максимальна напруга:
120В DC
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
0,75А
Недоступний
Резистор: thin film; 13,3кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 13,3кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD