IC: пам'ять SRAM; 144МбSRAM; 4Mx36бит; FBGA165; паралельний; лоток

Немає в наявності
Код товару: CY7C2665KV18-450BZI
28850,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 105
Крок додавання: 105
Код товару: CY7C2665KV18-450BZI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA165
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 144Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx36бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Частота: 450МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 3,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 3,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1210; 500мВт,1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1210; 500мВт,1Вт; ±5%; -55÷155°C

1,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
З'єднувальний кабель; 20м; Стандарт: Panasonic; power; MINAS LIQI
З'єднувальний кабель; 20м; Стандарт: Panasonic; power; MINAS LIQI

8101,89 грн

Вид кабелю:
POWER
Довжина проводу:
20м
Застосування - серія/виробник:
MINAS LIQI
Стандарт:
Panasonic
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

6,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC,8÷60ВDC; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC,8÷60ВDC; туба

1664,98 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Діапазон напруги живлення:
± 4...30В DC; 8...60В DC
Кількість каналів:
1
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 8,4МГц; Ch: 4; TSSOP14; 80мкВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 8,4МГц; Ch: 4; TSSOP14; 80мкВ; туба

179,30 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...2,75В DC; 2,7...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

94,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM