IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AS6C4016B-45ZIN
275,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS6C4016B-45ZIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 45нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 43,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 43,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 42А; 280x50x85мм; 15Вт
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 42А; 280x50x85мм; 15Вт

0,00 грн

Вид фільтру:
трифазний
Потужність розсіювання:
15Вт
Растр монтажних отворів:
295x30мм
Робоча напруга:
530В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

48,78 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 3,75кВ; SO6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 3,75кВ; SO6

0,00 грн

Вид виходу:
відкритий колектор
Вихідна напруга:
-0,5...20В
Зворотна напруга макс.:
800мВ
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

3,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
1,2нФ
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2072,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM