IC: пам'ять SRAM; 144МбSRAM; 8Mx18бит; FBGA165; паралельний; лоток

Немає в наявності
Код товару: CY7C2663KV18-550BZXI
36267,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 105
Крок додавання: 105
Код товару: CY7C2663KV18-550BZXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA165
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 144Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 8Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Частота: 550МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; RN73H; 50В

2,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: PMIC; перетворювач POL; Uвх: 5,3÷16ВDC; Uвих: 0,5÷14ВDC; buck
IC: PMIC; перетворювач POL; Uвх: 5,3÷16ВDC; Uвих: 0,5÷14ВDC; buck

183,73 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач POL
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,5...14В DC
Вихідний струм:
15А
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 20кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
20кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

7,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 1мкФ; 305В; THT; ±20%; 27,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 1мкФ; 305В; THT; ±20%; 27,5мм

11,02 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight

199,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12÷18ВDC; Uвих: 24ВDC; Uвих.2: -24ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12÷18ВDC; Uвих: 24ВDC; Uвих.2: -24ВDC

162,19 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
21мА
Вхідна напруга:
12...18В DC
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD