IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IS61C25616AL-10KLI
501,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS61C25616AL-10KLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 250мВт; SOT23,TO236AB

3,80 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В

1,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 240Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
240Ом
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C

303,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM