IC: пам'ять SRAM; 144МбSRAM; 8Mx18бит; FBGA165; паралельний; лоток

Немає в наявності
Код товару: CY7C1612KV18-250BZXC
19481,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 525
Крок додавання: 525
Код товару: CY7C1612KV18-250BZXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA165
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 144Мб SRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 8Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Частота: 250МГц
Резистор: thick film; 140Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 140Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

4,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Ключ: комбінований; тріскачка; 17мм; хром-ванадієва сталь
Ключ: комбінований; тріскачка; 17мм; хром-ванадієва сталь

489,74 грн

Вид ключа:
тріскачка
Властивості ключів:
протиковзкий тримач; сатиновані; тріскачки оснащені механізмом з 72 зубцями, що забезпечує невеликий кут праці
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Модель:
коротка
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 63ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 63ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 33мкФ; 25ВDC; Ø6,3x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 33мкФ; 25ВDC; Ø6,3x5,4мм; ±20%

6,34 грн

Висота:
5,4мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD