IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1061G30-10BV1XI
1380,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: CY7C1061G30-10BV1XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; білий; 250В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; білий; 250В; 30,5м

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Викрутка: рукоятка викрутки; з тріскачкою; 1/4"
Викрутка: рукоятка викрутки; з тріскачкою; 1/4"

1005,45 грн

Вид викрутки:
з тріскачкою
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Тип викрутка:
рукоятка викрутки
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 59,7В; 7,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA; SZ1SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 59,7В; 7,3А; односпрямована; ±5%; DO214AA; SZ1SMB

42,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
51В
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 18В; DO41; 50нА; Ufmax: 1,5В
Діод: зенера; 1,5Вт; 18В; DO41; 50нА; Ufmax: 1,5В

13310,96 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
18В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: дротяний; 1Ом; THT; 7Вт; ±5%; 350В; Ø9,5x20,5мм; -55÷350°C
Резистор: дротяний; 1Ом; THT; 7Вт; ±5%; 350В; Ø9,5x20,5мм; -55÷350°C

36,81 грн

Діаметр:
9,5мм
Довжина:
20,5мм
Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
250шт.
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

94,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM