IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1061GE30-10BVXIT
2228,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY7C1061GE30-10BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Кабель; Jack 3,5мм 3pin вилка,RCA вилка x2; 10м; чорний
Кабель; Jack 3,5мм 3pin вилка,RCA вилка x2; 10м; чорний

924,35 грн

Довжина кабелю:
10м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
Jack 3,5мм 3pin вилка; RCA вилка x2
Модель:
stereo
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

8,87 грн

Alias:
C0603C300J5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
12пФ
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C

31,68 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Монтаж:
SMD
Недоступний
Наконечник; викрутка; 6мм; longlife; для паяльника
Наконечник; викрутка; 6мм; longlife; для паяльника

262,92 грн

Властивості паяльного обладнання:
LONGLIFE
Застосування паяльного обладнання:
для паяльника
Розміри наконечника:
6мм
Супутні товари:
D-GS60
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6,9А; 104Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6,9А; 104Вт; TO220-3

146,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM