IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS64WV102416BLL-10MLA3-TR
1722,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IS64WV102416BLL-10MLA3-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT

9,31 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Connector: pin strips; male; data; PIN: 6; THT; 3A; straight; on PCBs
Connector: pin strips; male; data; PIN: 6; THT; 3A; straight; on PCBs

14,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,048мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Корпус - дюйм:
0201
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0805

8,24 грн

Alias:
C0805C105K3PAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6

26,93 грн

CTR@If:
40-80%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP6
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD