IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV102416FBLL-10BLI-TR
738,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS61WV102416FBLL-10BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 200ВDC; Ø8x10мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 200ВDC; Ø8x10мм; ±20%

18,56 грн

Висота:
10мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 3А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 3А; ПВХ

978,84 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Вольтметр; цифровий,монтажний; -10÷10В; панельний; LED; 5 цифр
Вольтметр; цифровий,монтажний; -10÷10В; панельний; LED; 5 цифр

5874,94 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
напруги DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Роз’єм: IDC; штекерний; PIN: 44; вертикальне,прямий; 1А; THT; 2,54мм
Роз’єм: IDC; штекерний; PIN: 44; вертикальне,прямий; 1А; THT; 2,54мм

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
44
Кількість рядів:
2
Недоступний
Ключ: тріскачка; 3/8"; з перемикачем; Зуби: 72
Ключ: тріскачка; 3/8"; з перемикачем; Зуби: 72

1269,01 грн

Кількість зубів:
72
Модель:
з перемикачем
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/8"
Тип ключа:
тріскачка
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø35x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø35x40мм

401,04 грн

Висота:
40мм
Властивості конденсаторів:
компактні розміри корпусу
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
267Ом
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD