IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS1C1M16P-70BINTR
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS1C1M16P-70BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: PSRAM; асинхронна
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: FPBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,6...3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Недоступний
Провід; плоска; ÖLFLEX® CRANE F; 4G35мм2; неекранований; Cu
Провід; плоска; ÖLFLEX® CRANE F; 4G35мм2; неекранований; Cu

3053,10 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1020; 1Вт; ±5%; WR20; 200В
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1020; 1Вт; ±5%; WR20; 200В

1,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1020
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 100мА; 1,6нс; SOD923; Ufmax: 1,2В
Діод: перемикальний; SMD; 85В; 100мА; 1,6нс; SOD923; Ufmax: 1,2В

4,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Ємність:
0,3пФ
Зворотна напруга макс.:
85В
Недоступний
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; SR73-RT
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; SR73-RT

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 25А; ізольований; Дл: 1м; синій
Вимірювальний провід: одинарний; 25А; ізольований; Дл: 1м; синій

433,35 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 60529
Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір:
синій
Недоступний
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В; 50ppm/°C

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32

81,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM