IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IS61C5128AS-25QLI
508,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS61C5128AS-25QLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 53,3В; 38,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 53,3В; 38,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

122,91 грн

Зворотна напруга макс.:
48В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 56,7В; 366А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 30кВт; 56,7В; 366А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

2168,02 грн

Зворотна напруга макс.:
51В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
56,7В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; FV; 7,2x6,9x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; FV; 7,2x6,9x4,8мм

25,41 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,2x6,9x4,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 1,5кВDC; 300ВAC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 1,5кВDC; 300ВAC; THT; ±20%

26,61 грн

Вид конденсатора:
Y2
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±20%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; макс.250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; макс.250ВAC; THT

46,88 грн

Зовнішні розміри:
18,4x10,2x15,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgSnO
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC; SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC; SMD

54,49 грн

Кількість пін:
10
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
24В DC
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM