IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP48

Немає в наявності
Код товару: AS6C1616-55TINLTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS6C1616-55TINLTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TSOP48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,16 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

1,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFE; 0,15мкФ; 450ВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFE; 0,15мкФ; 450ВDC; THT; ±5%

10,33 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,15мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 2,6мГн; 8А; R: 13,5мОм; горизонтальне; 1кВAC
Реактор: дротяний; THT; 2,6мГн; 8А; R: 13,5мОм; горизонтальне; 1кВAC

683,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Індуктивність:
2,6мГн
Монтаж:
THT
Опір:
13,5мОм
Гайка; M16 гніздо; Різьба: M16
Гайка; M16 гніздо; Різьба: M16

51,95 грн

Застосування роз’ємів:
M16 гніздо
Різьба:
M16
Тип аксесуарів для роз’ємів:
гайка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,80 грн

Alias:
KGM21BCG2A471JM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD