IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 30нс; FBGA165; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14V116G7-BZ30XIT
5468,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14V116G7-BZ30XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: FBGA165
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC; 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 30нс
Резистор: thick film; 2,61кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 2,61кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 25,7В; 407А; односпрямована; ±5%; P600; 15KPA
Діод: TVS; 15кВт; 25,7В; 407А; односпрямована; ±5%; P600; 15KPA

269,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
22В
Недоступний
Резистор: thin film; 430Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 430Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 140В; SO8; SMD; 1А; UBO: 180В; SLIC equipment
Тиристор: TSS; Urmax: 140В; SO8; SMD; 1А; UBO: 180В; SLIC equipment

39,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
SLIC equipment
Зворотна напруга макс.:
140В
Корпус:
SO8
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 330мкФ; 2,5ВDC; B
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 330мкФ; 2,5ВDC; B

24,96 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Корпус:
B
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 10бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; DFN10; туба
IC: перетворювач D/A; 10бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; DFN10; туба

106,44 грн

Max DNL:
±0,25LSB
Max INL:
±0,25LSB
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 2,5кВ; CTR@If: 500-2600%@1,6mA
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 2,5кВ; CTR@If: 500-2600%@1,6mA

33,58 грн

CTR@If:
500-2600%@1,6mA
Вид виходу:
Darlington
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils

188,80 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II

401,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 55нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 55нс; паралельний; -40÷85°C

206,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
32Кx8бит
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP28

274,33 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 100нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 100нс; DIP28

1624,43 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM