IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IS65WV1288BLL-55HLA1
224,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS65WV1288BLL-55HLA1
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: STSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Пінцет: загнута; 160мм; універсальний; Леза: зігнуті
Пінцет: загнута; 160мм; універсальний; Леза: зігнуті

606,31 грн

Використання інструментів:
універсальний
Довжина пінцета:
160мм
Тип пінцета:
загнута
Форма лез:
зігнуті
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; THT; straight

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 1,78кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 1,78кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; DIP8; Urmax: 5В
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; DIP8; Urmax: 5В

173,59 грн

Вид виходу:
totem pole
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP8
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 10А; 8A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 10А; 8A/250ВAC; THT

82,36 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
36В DC
Макс. струм контактів:
10А
LED; у корпусі; зелений; К-ть діодів: 1; 2,8мм; 2мА; 60°; 1÷5мкд
LED; у корпусі; зелений; К-ть діодів: 1; 2,8мм; 2мА; 60°; 1÷5мкд

64,62 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
2,8мм
Довжина хвилі λd:
568нм
Кількість діодів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils

188,80 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD