IC: пам'ять SRAM; 18МбSRAM; 1Mx18бит; 1,8В; LFBGA165; паралельний

Немає в наявності
Код товару: IS61QDB21M18A-250B4LI
2174,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 144
Крок додавання: 144
Код товару: IS61QDB21M18A-250B4LI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: LFBGA165
Монтаж: SMD
Пам'ять: 18Мб SRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 41А,42А,57А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 41А,42А,57А

787,51 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Кількість пін:
5
Роз’єм: круглі; PIN: 8; промислова; прямий; паяння; позолочений
Роз’єм: круглі; PIN: 8; промислова; прямий; паяння; позолочений

1457,17 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Модуль автоматики: світло сигналізатор; червоний; LED; 115ВAC
Модуль автоматики: світло сигналізатор; червоний; LED; 115ВAC

2449,32 грн

Джерело світла:
LED
Зовнішні розміри:
Ø70x65,5мм
Клас герметичності:
IP65
Колір:
червоний
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В

2,81 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама" кутовий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама" кутовий

978,84 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама" кутовий; М12 "папа"
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт

1980,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
232нКл
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28

359,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

408,64 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

310,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

2192,10 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C