1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 73А; Idm: 275А; 500Вт
Немає в наявності
Код товару: MSC025SMA120B4
1980,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC025SMA120B4
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 232нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 30шт.
Струм стока: 73А
Струм стоку в імпульсі: 275А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 32(6+26); 50/120VAC
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 32(6+26); 50/120VAC

637,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
відрізні з бобіни
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thin film; 10кОм; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C
Резистор: thin film; 10кОм; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C

6,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™