IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,7÷2,2В; SOIC8; -40÷125°C

Name: IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,7÷2,2В; SOIC8; -40÷125°C
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: 23A1024T-E/SN
Price: 136.85 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: 23A1024T-E/SN

136,85 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3300

Крок додавання: 3300

Код товару:

23A1024T-E/SN

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид пам’яті:

SRAM

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOIC8

Монтаж:

SMD

Пам'ять:

1Мб SRAM

Робоча напруга:

1,7...2,2В

Робоча температура:

-40...125°C

Стандартне пакування виробника:

3300шт.

Структура пам'яті:

128Кx8бит

Тип інтегральної мікросхеми:

пам'ять SRAM

Час доступу:

32нс

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Діод: зенера; 1Вт; 11В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА

224,28 грн

Допуск:
±10%

Зенерівська напруга:
11В

Корпус:
DO213AB; MELF glass

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 8; ON-OFF; 0,025A/24ВDC

96,30 грн

Властивості перемикачів:
повзунок "піано" короткий

Електрична стійкість:
1000 цикли

Загальна довжина:
20,22мм

Кількість всіх позицій:
2

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Допуск:
±5%

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

6,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±10%

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діелектрик:
C0G (NP0)

Допуск:
±5%

Ємність:
33пФ

Бажані

Резистор: вуглецевий; 82кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

1,02 грн

Виводи:
осьові

Діаметр:
1,85мм

Довжина:
3,5мм

Допуск:
±5%

Недоступний

Бажані

Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: M14; W: 130мм

4007,86 грн

Глибина:
100мм

Здатн. навантаження:
max. 3000кг

Модель:
двостулковий

Різьба:
M14

Це може вас зацікавити

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення

Інтерфейс:
SDI; SPI

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM

Інтерфейс:
I2C

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення

Інтерфейс:
SDI; SPI

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення

Інтерфейс:
SDI; SPI

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення

Інтерфейс:
SDI; SPI

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення

Інтерфейс:
SPI

Бажані

IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення

Інтерфейс:
SDI; SPI