IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,7÷2,2В; SOIC8; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: 23A1024T-I/SN
131,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 23A1024T-I/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 1,7...2,2В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 25нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø35x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø35x40мм

401,04 грн

Висота:
40мм
Властивості конденсаторів:
компактні розміри корпусу
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
267Ом
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; brass; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; brass; 3N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 4700мкФ; 25ВDC; Ø16x31,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 4700мкФ; 25ВDC; Ø16x31,5мм

91,87 грн

Висота:
31,5мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А

937,03 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28/60нКл
Корпус:
MLP8
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 100Ом; SMD; 4А; 0805; R: 20мОм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 100Ом; SMD; 4А; 0805; R: 20мОм

5,07 грн

Імпеданс при 100МГц:
100Ом
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C