IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1019DV33-10BVXI
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: CY7C1019DV33-10BVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА

947,16 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 250V; PIN: 20; 3mm
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 250V; PIN: 20; 3mm

205,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
20
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 100V

8,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0201; 1Вт; ±5%; ERJ1TYJ; 200В
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0201; 1Вт; ±5%; ERJ1TYJ; 200В

6,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
0201
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD