IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1019DV33-10BVXIT
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY7C1019DV33-10BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Резистор: thick film; 22,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; PDIP14; PIC16; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; THT; PDIP14; PIC16; туба

69,06 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC; CWG; NCO; PoR; PPS; watchdog; ZCD
Інтерфейс:
ADC; EUSART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485; SMBus
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0603

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 7,22÷7,98В; 267,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 3кВт; 7,22÷7,98В; 267,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

32,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
6,5В
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM