IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: 23LC1024-E/SN
136,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 200
Крок додавання: 100
Код товару: 23LC1024-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Діод: випрямний Шотткі; THT; 200В; 45Аx2; TO247-3; Ufmax: 0,91В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 200В; 45Аx2; TO247-3; Ufmax: 0,91В

385,20 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,10 грн

Alias:
C0603C472K4RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

77,93 грн

Вихідна напруга:
1,8В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем

160,29 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
13мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402

0,29 грн

Alias:
KGM05AV51C104ZN
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
Y5V
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C