1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
Немає в наявності
Код товару: 23LC1024T-I/ST
134,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: 23LC1024T-I/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 2500шт.
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 25нс
Недоступний
Резистор: дротяний; 20Ом; цементний; THT; 5Вт; ±5%; Ш0,8x35мм
Резистор: дротяний; 20Ом; цементний; THT; 5Вт; ±5%; Ш0,8x35мм

13,05 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
20Ом
Резистор: thin film; 90,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 90,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 33мкФ; 80ВDC; Ø8x10мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 33мкФ; 80ВDC; Ø8x10мм

4,50 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 26AWG; PTFE; червоний; 600В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 26AWG; PTFE; червоний; 600В; 30,5м

2301,70 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/4 (Type E); NEMA HP3; UL 1213; VW-1
Недоступний
Резистор: thick film; 15,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C