IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ32; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS63LV1024L-10JLI-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS63LV1024L-10JLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: metal film; 4,81кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 4,81кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 47,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: thick film; 681кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 681кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 16бит; 100кsps; 2,7÷3,6/4,75÷5,25В
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 16бит; 100кsps; 2,7÷3,6/4,75÷5,25В

0,00 грн

Max INL:
±8LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
pseudo-differential; single-ended
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils

188,80 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD