1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс; SOJ32; 400mils

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс; SOJ32; 400mils
Немає в наявності
Код товару: AS7C31025B-12JINTR
237,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31025B-12JINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 510Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 6,8мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 6,8мкФ; 100ВDC; ±20%

6,46 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока надійність
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 680Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Часове реле; SSR; 100÷240ВAC; підставка; 45x45мм; PIN: 8; IP20
Часове реле; SSR; 100÷240ВAC; підставка; 45x45мм; PIN: 8; IP20

12318,82 грн

Вид виходу:
SSR
Електричне під'єднування:
кругле гніздо
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,5÷5,5В; 0,6÷5,5ВDC; 2А; TSOT23-6
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,5÷5,5В; 0,6÷5,5ВDC; 2А; TSOT23-6

12,67 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,6...5,5В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 309кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
309кОм
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

255,32 грн

Вид пам’яті:
PSRAM; асинхронна
Корпус:
FPBGA48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM