IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AS7C34098A-12JIN
529,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C34098A-12JIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 30В; 2А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 30В; 2А; ролик,cтрічка

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 250ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 250ВDC; Ø12,5x20мм; ±20%

36,75 грн

Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
висока довговічність
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 160Ом; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 160Ом; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм

1,11 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: metal film; 29,4Ом; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 29,4Ом; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

3,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit