IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

Немає в наявності
Код товару: CY62128ELL-45SXIT
88,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY62128ELL-45SXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SO32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Ширіна мікросхеми: 450mils
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD128F; SMD; 100В; 5А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD128F; SMD; 100В; 5А; ролик,cтрічка

50,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD128F
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,25%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

3,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Недоступний
SMD; 0603; 3,9мкГн; ±20%; 1,8x1x1мм; H: 0,8мм; 700мОм; -40÷85°C
SMD; 0603; 3,9мкГн; ±20%; 1,8x1x1мм; H: 0,8мм; 700мОм; -40÷85°C

0,00 грн

Висота:
0,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,9мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 6; SL; кутове 90°; THT
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 6; SL; кутове 90°; THT

0,00 грн

Engineering PN:
A-70553-0005
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

14,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD