IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 45нс; SO32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY62128ELL-45SXAT
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY62128ELL-45SXAT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SO32
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 4,5...5,5В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 1.5A

171,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; DO41; 25мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; DO41; 25мкА; Ufmax: 1,2В

287,00 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 3mm; series 30; CuBe; 1.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 3mm; series 30; CuBe; 1.5N; 20mΩ

100,74 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
3мм
Довжина:
32,5мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 330мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 330мкФ; 50ВDC; ±20%

20,08 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Датчик: рівня рідини; -40÷107,2°C; OUT: NO или NC; LS-7; 0,6м
Датчик: рівня рідини; -40÷107,2°C; OUT: NO или NC; LS-7; 0,6м

1843,64 грн

Виводи:
проводи
Властивості датчиків:
мінімальна питома вага рідини 0,55
Довжина відводів:
0,6м
Конфігурація виходу:
NO или NC
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 75; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 75; THT; straight

55,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM